鉬在電子行業有可能取代石墨烯

2023-10-26

　　美國加州納米技術研究院（簡稱CNSI）成功使用MoS2（輝鉬，二硫化鉬）制造出了輝鉬基柔性微處理芯片，這個MoS2為基礎的微芯片只有同等硅基芯片的20%大小，功耗極低，輝鉬制成的晶體管在待機情況下的功耗為硅晶體管的十萬分之一，而且比同等尺寸的石墨烯電路更加廉價。而最大的變化是其電路有很強的柔性，極薄，可以附著在人體皮膚之上。
　　2011年瑞士聯邦理工學院洛桑分校（EPFL）科學家制造出全球第一個輝鉬礦微晶片（上面有更小且更節能的電晶體）。輝鉬是未來取代硅基芯片強力競爭者。領導研究的安德拉斯·基什教授表示，輝鉬是良好的下一代半導體材料，在制造超小型晶體管、發光二極管和太陽能電池方面具有很廣闊的前景。
　　同硅和石墨烯相比，輝鉬的優勢之一是體積更小，輝鉬單分子層是二維的，而硅是一種三維材料。在一張0.65納米厚的輝鉬薄膜上，電子運動和在兩納米厚的硅薄膜上一樣容易，輝鉬礦是可以被加工到只有3個原子厚的!
　　輝鉬所具有的機械特性也使得它受到關注，有可能成為一種用于彈性電子裝置（例如彈性薄層晶片）中的材料。可以用在制造可卷曲的電腦或是能夠貼在皮膚上的裝置。甚至可以植入人體。

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